根據(jù)外媒報道，俄羅斯已經(jīng)制定了新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃的初步版本，到 2030 年需要投資約 3.19 萬億盧布（約384.3 億美元）。問題是進度太慢，目標(biāo)是到 2030 年建立使用 28nm 節(jié)點的制造，比中國起碼都還要落后十幾年，而且俄羅斯能否實現(xiàn)目標(biāo)都還是個問題。

這都是美國給害的。今年3月底，美國財 政部宣布對俄羅斯21家實體企業(yè)和13個個人實施制裁，其中包括俄羅斯最大的芯片制造商、微電子制造商和出口商Mikron。還包括總部位于莫斯科的Serniya Engineering和設(shè)備制造商Sertal，美國財 政部指控這兩家公司為俄羅斯國防部門非法采購可用于民用的設(shè)備和技術(shù)。所以，俄羅斯下定決心，重建本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

俄羅斯歷史上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落后程度也驚人。俄羅斯缺乏自主芯片，90%的芯片都是來自于國外，而國內(nèi)最大的芯片商也只有65nm芯片的制造水平，如果單靠國內(nèi)的芯片供應(yīng)，那將很難滿足需求。

但為何半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如此落后，俄羅斯卻還能制造很多高端武器呢？這是因為早在前蘇聯(lián)時代，考慮到核打擊的威脅，在晶體管和電子管兩個技術(shù)路線之間，前蘇聯(lián)優(yōu)先選擇了抗輻射能力更強的電子管技術(shù)。電子管的小型化的確存在先天限制，但那個時候也的確沒人想到，晶體管的小型化竟然能夠發(fā)展到納米級。

俄羅斯此次下定決心追趕半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但問題是追趕的難度有多大。據(jù)悉，俄羅斯短期目標(biāo)之一是在年底前使用 90nm 制造技術(shù)提高本地芯片產(chǎn)量。一個更長期的目標(biāo)是到 2030 年建立使用 28nm 節(jié)點的制造。

而臺積電早在2011年就能生產(chǎn)28納米的芯片，中芯國際際28納米技術(shù)于2013年第四季度推出，近年來已成功進入多項目晶圓（MPW）和量產(chǎn)階段，可依照客戶需求提供HKMG制程服務(wù)。

俄羅斯比中芯國際起碼落后十幾年，比臺積電更是落后二十幾年，在美國封殺產(chǎn)業(yè)鏈的情況下，能否生產(chǎn)出90納米的芯片都是個問題。來源：運營商世界網(wǎng)