來源：科技plus

去年1月份的時候，三星就宣布生產出世界上第一個3nm GAAFET晶體管芯片的工藝原型，當時表示將在2021年實現批量生產。而在今年3月份的時候，三星發布了這一顆3nm的芯片，采用GAAFET晶體管技術，但在當時大家還是稱三星的3nm芯片，其實還是PPT造芯。

而近日，三星終于對外表示，使用其環柵 (GAA) 晶體管架構的3nm芯片流片成功，接下來真正進入量產階段了，不再是PPT，而是實實在在的芯片技術了。

事實上，關于3nm芯片戰，早就打響了，在三星3月份秀出3nm芯片后不久，IBM就搞了一個大新聞，搞了一顆2nm工藝的芯片原型出來，與三星的3nm芯片一樣，采用的是GAAFET晶體管技術。

后來臺積電又搞 了一個大新聞，臺積電與臺大、美國麻省理工學院合作研究，發現了用二維材料結合「半金屬鉍（Bi）」能達極低電阻，接近量子極限，有助于實現半導體1nm以下制程挑戰。

為何三星這么在意3nm技術？原因在于目前有5nm技術的廠商就兩家，分別是臺積電和三星。而隨著芯片工藝進入5nm后，再提升工藝是越來越難了，所以接下來誰能夠在3nm工藝上依靠，也就意味著非常有可能在制造上領先，從而成為領軍者。

再加上臺積電的3nm還是采用FinFET晶體管，這是比較老邁的技術，早就要淘汰了，三星采用更先進的GAAFET晶體管。

與臺積電3nm工藝的FinFET晶體管技術相比，GAA架構改進了靜電特性，降低了電壓，從而提高了性能并降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度控制的額外矢量的新優化機會的額外好處。

一旦三星能夠比臺積電更提前量產3nm芯片，那么三星非常有可能挑戰臺積電的地位，接到更多的訂單，從而把臺積電打壓下去。

而按照媒體的報道，這次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的，旨在加速為GAA流程提供高度優化的參考方法，同時還能夠提供一整套的EDA工具，接下來就讓我們關注三星3nm芯片的進展了。